改进的制备自支撑氮化镓衬底的激光剥离的方法
专利权的终止
摘要
改进的制备自支撑氮化镓衬底的激光剥离的方法，在650－800℃空气气氛中直接用合适波长的紫外激光器透过蓝宝石辐照GaN/蓝宝石样品，界面处的GaN被分解后，蓝宝石可以很容易的被去掉，即可得到GaN自支撑衬底。在高于800℃时在氨气气氛保护下进行激光器透过蓝宝石辐照。本发明经高于650℃激光剥离，GaN和蓝宝石很容易就分离开来，从而得到GaN自支撑衬底。且蓝宝石和衬底之间的应力完全得到释放，得到的GaN衬底平整无翘曲。
基本信息
专利标题 ：
改进的制备自支撑氮化镓衬底的激光剥离的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1794419A
申请号 ：
CN200510095245.8
公开（公告）日 ：
2006-06-28
申请日 ：
2005-11-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
修向前张荣陈琳谢自力韩平顾书林江若琏胡立群朱顺明施毅郑有炓
申请人 ：
南京大学
申请人地址 ：
210093江苏省南京市汉口路22号
代理机构 ：
南京天翼专利代理有限责任公司
代理人 ：
汤志武
优先权 ：
CN200510095245.8
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00 H01L21/268 B23K26/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2013-12-18 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101554523306
IPC(主分类) : H01L 21/00
专利号 : ZL2005100952458
申请日 : 20051104
授权公告日 : 20080102
终止日期 : 20121104
号牌文件序号 : 101554523306
IPC(主分类) : H01L 21/00
专利号 : ZL2005100952458
申请日 : 20051104
授权公告日 : 20080102
终止日期 : 20121104
2008-01-02 ：
授权
2006-08-23 ：
实质审查的生效
2006-06-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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