一种硅基InGaAs激光器衬底的制备方法、衬底和激光器
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摘要
本发明提供一种硅基InGaAs激光器衬底的制备方法，包括：S1：在供体衬底上赝晶生长InxGa1‑xAs外延层薄膜；S2：外延层薄膜远离供体衬底的一面为注入面，自注入面向外延层进行离子注入和在注入面表面沉积第一金属层，注入的离子在外延层内形成剥离层；S3：在支撑衬底表面沉积第二金属层；S4：通过将第一金属层和第二金属层键合使得支撑衬底、第二金属层、第一金属层、外延层和供体衬底依次连接形成整体；S5：将键合后的整体进行退火处理，沿剥离层将供体衬底剥离，外延层转移至支撑衬底上形成硅基InGaAs衬底；本发明还提供一种衬底及激光器；本发明能够突破现有二元化合物晶格常数对激光器的限制，扩大生长在衬底上的激光器在材料选择和结构设计的自由度。
基本信息
专利标题 ：
一种硅基InGaAs激光器衬底的制备方法、衬底和激光器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111262127A
申请号 ：
CN202010079728.3
公开（公告）日 ：
2020-06-09
申请日 ：
2020-02-04
授权号 ：
CN111262127B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
欧欣赵舒燕王长林家杰游天桂
申请人 ：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请人地址 ：
上海市长宁区长宁路865号
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
郝传鑫
优先权 ：
CN202010079728.3
主分类号 ：
H01S5/02
IPC分类号 ：
H01S5/02 H01S5/343
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2020-07-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 5/02
申请日 : 20200204
申请日 : 20200204
2020-06-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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