一种用于硅基MOSFET器件的衬底及其制备方法
授权
摘要
本申请涉及半导体器件领域，公开了一种用于硅基MOSFET器件的衬底及其制备方法，制备方法包括以下步骤：对Si衬底进行刻蚀；生长多晶3C‑SiC缓冲层；生长单晶3C‑SiC外延层；生长SiNx绝缘层，其中，x＞1；对Si衬底进行退火处理。本申请通过优化工艺及外延层组合，解决了Si/SiO2衬底耐受电压低的问题，提升了Si基MOSFET器件的性能及稳定性。
基本信息
专利标题 ：
一种用于硅基MOSFET器件的衬底及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114068308A
申请号 ：
CN202210047359.9
公开（公告）日 ：
2022-02-18
申请日 ：
2022-01-17
授权号 ：
CN114068308B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
黄吉裕毛朝斌戴科峰仇礼钦高桑田罗骞
申请人 ：
季华实验室
申请人地址 ：
广东省佛山市南海区桂城街道环岛南路28号
代理机构 ：
佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈志超
优先权 ：
CN202210047359.9
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L29/165
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2022-03-08 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20220117
申请日 : 20220117
2022-02-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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