一种硅基微显示器件的制备方法
公开
摘要
本发明公开了一种硅基微显示器件的制备方法，包括阳极制备工艺、像素定义层制备工艺和薄膜封装层制备工艺，所述阳极制备工艺包括：阳极成膜→涂胶及前烘烤→曝光→后烘烤→灰化→刻蚀→去胶；像素定义层制备工艺包括：像素定义层成膜→涂胶及前烘烤→曝光→后烘烤→灰化→刻蚀→去胶；薄膜封装层制备工艺包括：蒸镀→薄膜封装层成膜→涂胶及前烘烤→曝光→后烘烤→灰化→刻蚀→去胶；灰化和刻蚀可同步进行，故阳极、像素定义层、薄膜封装层主工艺共19步，简化后工艺不需要进行湿法显影及硬烘，增加得灰化工艺可与刻蚀工艺同腔室同步进行；较大程度简化了工艺，节约了生产成本，且避免湿法显影对薄膜封装层得腐蚀影响，一定程度提升了良率。
基本信息
专利标题 ：
一种硅基微显示器件的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628618A
申请号 ：
CN202210253308.1
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-03-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
潘倩倩曹贺刘晓佳刘胜芳赵铮涛吕磊
申请人 ：
安徽熙泰智能科技有限公司
申请人地址 ：
安徽省芜湖市芜湖长江大桥综合经济开发区高安街道经四路一号办公楼五楼
代理机构 ：
芜湖安汇知识产权代理有限公司
代理人 ：
吴慧
优先权 ：
CN202210253308.1
主分类号 ：
H01L51/56
IPC分类号 ：
H01L51/56 H01L27/32 H01L51/52
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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