本发明适用于纳米涂层领域，提供了一种硅基纳米涂层的制备方法、硅基纳米涂层和印制电路板组件。该制备方法包括用乙烯基三乙氧基硅烷作为反应气体之一，通过等离子体增强化学气相沉积法在基材表面沉积纳米薄膜，所述等离子体增强化学气相沉积法包括步骤S1和S2，其中，步骤S1中真空度为25‑70mTorr，活性气体流量为80‑200sccm，中频射频电源功率为80‑200W；步骤S2中真空度为10‑30mTorr，乙烯基三乙氧基硅烷气体流量为10‑60sccm，活性气体流量为80‑200sccm中频射频电源功率为80‑200W。本发明通过设置硅基纳米涂层的制备方法中的工艺参数，提高了真空仓室中离子态反应气体的浓度，提高了反应气体的反应速率和反应率，有利于反应气体聚合反应反应充分，降低了制备硅基纳米涂层的成本。