单晶硅局域SOI衬底及光电器件
授权
摘要
本实用新型提供一种单晶硅局域SOI衬底及光电器件，单晶硅局域SOI衬底包括：硅衬底，所述硅衬底上具有局域SOI区域槽；介质层，填充于所述局域SOI区域槽中；以及单晶硅层，覆盖于所述硅衬底及所述介质层表面。本实用新型可以在体硅衬底上形成局域SOI，从而实现光芯片与电芯片的单片集成。
基本信息
专利标题 ：
单晶硅局域SOI衬底及光电器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921122297.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-17
授权号 ：
CN210837756U
授权日 ：
2020-06-23
发明人 ：
汪巍方青涂芝娟曾友宏蔡艳余明斌
申请人 ：
上海新微技术研发中心有限公司
申请人地址 ：
上海市嘉定区菊园新区环城路2222号1幢J2015室
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
罗泳文
优先权 ：
CN201921122297.3
主分类号 ：
H01L27/12
IPC分类号 ：
H01L27/12 H01L21/762 H01L21/84
法律状态
2020-06-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
