硅基衬底的加工方法
授权
摘要
本发明提出了一种硅基衬底的加工方法，包括：获取硅片；对硅片进行化学处理，以在硅片表面形成氢钝化层；对硅片进行脱附工艺处理，以去除氢钝化层。根据本发明实施例的硅基衬底的加工方法，在对硅片进行化学处理后，在硅片的表面形成氢钝化层，可以有效保护硅片。而且，氢钝化层的脱附温度相对较低，从而有效降低避免了硅片高温脱附钝化层而导致硅片弯折损伤和引入杂质的问题，而且，在选择硅片时，优化硅片筛选标准，从而有效降低了硅基衬底的平整度，提高了硅基衬底的加工质量，方便大面阵器件的加工。
基本信息
专利标题 ：
硅基衬底的加工方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110783183A
申请号 ：
CN201910980307.5
公开（公告）日 ：
2020-02-11
申请日 ：
2019-10-15
授权号 ：
CN110783183B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
王丛高达王经纬刘铭刘兴新于小兵周立庆
申请人 ：
中国电子科技集团公司第十一研究所
申请人地址 ：
北京市朝阳区酒仙桥路4号
代理机构 ：
工业和信息化部电子专利中心
代理人 ：
焉明涛
优先权 ：
CN201910980307.5
主分类号 ：
H01L21/30
IPC分类号 ：
H01L21/30 H01L21/02 H01L21/311
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2020-03-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/30
申请日 : 20191015
申请日 : 20191015
2020-02-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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