一种复合硅衬底
授权
摘要
本实用新型公开了一种复合硅衬底，包括硅衬底，以及位于所述硅衬底背面的热膨胀补偿薄膜；热膨胀补偿薄膜包括耐高温保护层和至少一层热失配层，热失配层位于所述硅衬底和耐高温保护层之间，热失配层的热膨胀系数大于硅衬底的热膨胀系数。本实用新型可以调节硅衬底高温生长前的初始曲率，使硅基氮化物高温外延生长中存储更多压应力，同时避免衬底塑性形变发生，进而得到更厚的外延薄膜，达到改善器件缓冲层漏电和提高外延膜晶体质量的作用。
基本信息
专利标题 ：
一种复合硅衬底
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921422481.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-29
授权号 ：
CN210120127U
授权日 ：
2020-02-28
发明人 ：
林科闯房育涛刘波亭张恺玄杨健
申请人 ：
厦门市三安集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201921422481.X
主分类号 ：
H01L23/00
IPC分类号 ：
H01L23/00 H01L23/29 H01L33/44
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
法律状态
2020-02-28 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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