一种复合衬底
授权
摘要
本实用新型公开了一种复合衬底，包括衬底，以及位于所述衬底背面的热膨胀补偿薄膜；热膨胀补偿薄膜的等效膨胀系数小于衬底的热膨胀系数；热膨胀补偿薄膜包括电介质层和耐高温金属层，电介质层位于所述衬底和耐高温金属层之间。本实用新型避免了化合物半导体高温生长时温差引起的热翘曲过大问题，进而减小外延片高温生长时中心和边缘区域的温差，从而改善外延生长中的厚度，组分和掺杂的均匀性提高外延片的器件良率。
基本信息
专利标题 ：
一种复合衬底
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921422470.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-29
授权号 ：
CN210120112U
授权日 ：
2020-02-28
发明人 ：
蔡文必房育涛林云昊张建刘超张恺玄杨健
申请人 ：
厦门市三安集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201921422470.1
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2020-02-28 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
