采用基于硅衬底突点制作及释放牺牲层的方法

专利权的终止

摘要

本发明涉及微电子技术领域，特别是一种采用基于硅衬底突点制作及释放牺牲层的方法。其工艺步骤如下：1.在<100>硅基片上淀积SiN_x薄膜；2.光刻，刻蚀SiN_x薄膜，形成腐蚀窗口，去胶；3.腐蚀硅衬底，形成硅突点；4.表面淀积SiO₂薄膜牺牲层；5.光刻，打底胶，表面淀积铬薄膜，剥离，刻蚀SiO₂薄膜孔，去铬，清洗处理表面；6.表面淀积SiN_x薄膜；7.积铬薄膜，光刻，去铬，刻蚀SiN_x薄膜和SiO₂薄膜腐蚀槽；8.腐蚀释放SiO₂薄膜牺牲层；9.表面淀积SiN_x薄膜，密封腐蚀槽。

基本信息

专利标题：

采用基于硅衬底突点制作及释放牺牲层的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1979772A

申请号：

CN200510127446.1

公开（公告）日：

2007-06-13

申请日：

2005-12-02

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

石莎莉陈大鹏欧毅谢常青叶甜春

申请人：

中国科学院微电子研究所

申请人地址：

100029北京市朝阳区北土城西路3号

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

段成云

优先权：

CN200510127446.1

主分类号：

H01L21/306

IPC分类号：

H01L21/306 H01L21/31 B81C1/00

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/18

器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料

H01L21/30

用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的

H01L21/302

改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割

H01L21/306

化学或电处理，例如电解腐蚀

法律状态

2019-11-15 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/306
申请日 : 20051202
授权公告日 : 20090603
终止日期 : 20181202

2013-05-08 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101589205627
IPC(主分类) : H01L 21/306
专利号 : ZL2005101274461
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中国科学院微电子研究所
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 中国科学院微电子研究所
登记生效日 : 20130419

2011-05-18 ：

专利实施许可合同备案的生效、变更及注销

专利实施许可合同备案的生效号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101086284632
IPC(主分类) : H01L 21/306
专利申请号 : 2005101274461
专利号 : ZL2005101274461
合同备案号 : 2011320010027
让与人 : 中国科学院微电子研究所
受让人 : 昆山光微电子有限公司
发明名称 : 采用基于硅衬底突点制作及释放牺牲层的方法
申请日 : 20051202
公开日 : 20070613
授权公告日 : 20090603
许可种类 : 普通许可
备案日期 : 20110325

2009-06-03 ：

授权

2007-08-08 ：

实质审查的生效

2007-06-13 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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