在具有深槽图形的硅基衬底上制作硅薄膜的方法
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
摘要
本发明涉及一种在具有深槽图形的硅基衬底上制作硅薄膜的方法，用于微电子机械系统(MEMS)可动部件制造中。该方法步骤包括：先在硅基衬底上制作深槽图形时制作沟槽，连接每个深槽图形并贯穿到硅基衬底片的外边缘，与大气相通，然后与另一硅片进行硅/硅键合，形成键合片，再用减薄、抛光方法减薄另一硅片，获得所需的硅薄膜。该方法巧妙地消除了键合和后面工序高温处理中由于键合片空腔内空气受热膨胀，造成硅膜变形，甚至薄膜断裂、脱落的问题，使制作在带深槽图形的硅基衬底上的硅薄膜晶格结构损伤小、厚度均匀，大大提高了硅薄膜成品率，以满足制作硅基MEMS可动部件所需薄膜的要求。
基本信息
专利标题 ：
在具有深槽图形的硅基衬底上制作硅薄膜的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1787168A
申请号 ：
CN200510057321.6
公开（公告）日 ：
2006-06-14
申请日 ：
2005-10-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐世六张正元刘玉奎
申请人 ：
中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请人地址 ：
400060重庆市南岸区南坪花园路14号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN200510057321.6
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00 H01L21/30 B81C1/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2009-12-09 ：
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2007-10-24 ：
授权
2006-08-09 ：
实质审查的生效
2006-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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