在玻璃衬底上形成的薄膜图形结构及该图结构形成方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种导电图形，用激光划割法形成在适用于液晶器件的钠钙玻璃衬底上。除了第一离子阻挡薄膜插在玻璃衬底和导电图形之间外，还在结构上设有一第二离子阻挡薄膜，以便在进行激光划割期间，禁止钠离子从衬底通过第一离子阻挡薄膜中形成的图形和构成图形的导电薄膜漂移出来。
基本信息
专利标题 ：
在玻璃衬底上形成的薄膜图形结构及该图结构形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1034074A
申请号 ：
CN89100120.4
公开（公告）日 ：
1989-07-19
申请日 ：
1989-01-06
授权号 ：
CN1025247C
授权日 ：
1994-06-29
发明人 ：
山崎舜平
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
王忠忠
优先权 ：
CN89100120.4
主分类号 ：
G02F1/133
IPC分类号 ：
G02F1/133 H01L31/02
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02F
用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如转换、选通、调制或解调，上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的；用于上述操作的技术或工艺；变频；非线性光学；光学逻辑元件；光学模拟/数字转换器
G02F1/00
控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如，转换、选通或调制；非线性光学
G02F1/01
对强度、相位、偏振或颜色的控制
G02F1/13
基于液晶的，例如单位液晶显示单元
G02F1/133
构造上的设备；液晶单元的工作；电路装置
法律状态
1999-02-24 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1994-06-29 ：
授权
1991-03-27 ：
实质审查请求已生效的专利申请
1989-07-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
