一种硅基CMOS射频集成电路衬底及其制造方法，该方法可以在一块重掺杂的低电阻率硅片上将CMOS数字集成电路与高品质射频无源器件和电路同时高度集成。本发明所提供的衬底含有重掺杂的低电阻率硅片，在所述重掺杂的低电阻率硅片上划分为a、b两类多个图形化的区域，其中在所述的每个a类区域具有一层图形化的垂直纳米结构的氧化硅，在该垂直纳米结构的氧化硅上面依次覆盖有一层图形化的氧化硅、氮化硅和聚酰亚胺。其制备方法不需高温、高压等苛刻条件，所用设备和工艺非常简单，并且成本低廉，可用于大规模工业生产。