硅基光耦合结构、硅基单片集成光器件

授权

摘要

本申请提供一种硅基光耦合结构、硅基单片集成光器件。该硅基光耦合结构包括：第一凹槽部，其形成于绝缘体上的硅(SOI)衬底的衬底硅中；第一光波导结构，其形成于所述绝缘体上的硅(SOI)衬底的顶层硅中；第二光波导结构，其在横向上与所述第一光波导结构连接，在横向的第一方向上延伸，并且，所述第二光波导结构位于所述第一凹槽部上方；以及贯通槽，其形成于所述第二光波导结构在横向的第二方向的两侧，所述第二方向与所述第一方向垂直，所述贯通槽与所述第一凹槽部连通，其中，所述第二光波导结构的材料的折射率低于所述第一光波导结构的材料的折射率。本申请能够提高光场的耦合效率。

基本信息

专利标题：

硅基光耦合结构、硅基单片集成光器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921035705.1

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-07-04

授权号：

CN210123484U

授权日：

2020-03-03

发明人：

汪巍方青涂芝娟曾友宏蔡艳余明斌

申请人：

上海新微技术研发中心有限公司

申请人地址：

上海市嘉定区城北路235号1号楼

代理机构：

北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

刘元霞

优先权：

CN201921035705.1

主分类号：

G02B6/12

IPC分类号：

G02B6/12 G02B6/13 G02B6/42