一种高频硅基GaN单片集成PWM电路
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种高频硅基GaN单片集成PWM电路，基于P‑GaN栅增强型GaN集成工艺平台下的E‑mode GaN晶体管、2DEG电阻和MIM电容进行三级比较器等结构设计，并以此为基础实现迟滞比较器、锯齿波电路和整体PWM电路的设计。本发明基于增强型GaN晶体管进行三级比较器电路拓扑设计优化反馈回路，从而实现高鲁棒性锯齿波电路设计；PWM单片集成电路同时集成反馈电阻以及GaN MIM电容，极大减小电路设计中的寄生效应，可更容易满足PWM模块方案的高频需求。该电路方案不仅更易实现GaN功率芯片单片集成，而且可避免D‑mode N型沟道晶体管存在的栅极长期可靠性等问题。本发明提出的高频硅基GaN单片集成PWM电路为未来实现更加紧凑的功率转换解决方案提供基础。
基本信息
专利标题 ：
一种高频硅基GaN单片集成PWM电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114374376A
申请号 ：
CN202210033085.8
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2022-01-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
周琦党其亮李明哲杨文星罗志华邓超张波郭新凯
申请人 ：
电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请人地址 ：
四川省成都市高新西区西源大道2006号
代理机构 ：
成都点睛专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙一峰
优先权 ：
CN202210033085.8
主分类号 ：
H03K7/08
IPC分类号 ：
H03K7/08
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03K 7/08
申请日 : 20220112
申请日 : 20220112
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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