单片集成的硅胎压温度传感器
专利权的终止
摘要

单片集成的硅胎压温度传感器属于压力、温度传感技术领域,其特征在于,含有:结构芯片,中间有一个硅杯,该硅杯中央有一个硅膜,其周围支撑的是厚体硅;四个压力敏感电阻,分别位于硅膜边界内的应力敏感区,形成一个压力传感器;一个温度敏感电阻,位于厚体硅的非应力敏感区,形成一个温度传感器;密封盖板,连接在所述结构芯片的下表面。该集成传感器的压力敏感元件的输出和压力值直接相关,而该集成传感器的温度敏感元件的输出和温度值密切相关。该集成传感器具有单片集成、制作简单、运行可靠的优点。

基本信息
专利标题 :
单片集成的硅胎压温度传感器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200720103715.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2007-03-02
授权号 :
CN201057517Y
授权日 :
2008-05-07
发明人 :
张兆华林惠旺刘理天任天令
申请人 :
清华大学
申请人地址 :
100084北京市100084信箱82分箱清华大学专利办公室
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN200720103715.5
主分类号 :
G01D21/02
IPC分类号 :
G01D21/02  B60C23/00  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01D
非专用于特定变量的测量;不包含在其他单独小类中的测量两个或多个变量的装置;计费设备;非专用于特定变量的传输或转换装置;未列入其他类目的测量或测试
G01D21/00
未列入其他类目的测量或测试
G01D21/02
用不包括在其他单个小类中的装置来测量两个或更多个变量
法律状态
2011-05-11 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101069288039
IPC(主分类) : G01D 21/02
专利号 : ZL2007201037155
申请日 : 20070302
授权公告日 : 20080507
终止日期 : 20100302
2008-05-07 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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