一种硅基三维扇出集成封装结构
授权
摘要
本实用新型公开一种硅基三维扇出集成封装结构，属于集成电路晶圆级封装技术领域。所述硅基三维扇出集成封装结构包括硅基，所述硅基正面制作有TSV盲孔并且表面沉积有无机钝化层；所述TSV盲孔中制作有铜柱并在表面制作有第一n层再布线和金属焊垫；所述硅基背面刻蚀有凹槽，第一芯片通过粘结剂埋在所述凹槽中，所述第一芯片的焊垫朝外；所述硅基背面填充有干膜材料，并且所述硅基背面依次制作有钝化层、第二n层再布线和凸点。本实用新型通过使用硅基实现三维扇出型晶圆级封装，完成高密度异构芯片三维集成，其封装效率、集成度、性能大大提高。
基本信息
专利标题 ：
一种硅基三维扇出集成封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020874147.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-22
授权号 ：
CN212434614U
授权日 ：
2021-01-29
发明人 ：
王成迁徐罕李守委
申请人 ：
中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区惠河路5号
代理机构 ：
无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
杨立秋
优先权 ：
CN202020874147.4
主分类号 ：
H01L23/498
IPC分类号 ：
H01L23/498 H01L21/48
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/498
引线位于绝缘衬底上的
法律状态
2021-01-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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