一种半导体光耦合结构和硅光集成芯片
授权
摘要
本申请公开了一种半导体光耦合结构和硅光集成芯片，该半导体光耦合结构具有与外部光纤光耦合的第一端面和与外部光器件光耦合的第二端面；该光耦合结构包括相耦合连接的第一光波导和第二光波导，其中，第一光波导包括具有第一折射率的悬臂波导，该悬臂波导临近第一端面；第二光波导包括依次连接的第一楔形结构、第一线性结构和第二楔形结构，该第二楔形结构的厚度大于第一楔形结构和第一线性结构的厚度；第一折射率低于第二折射率。该耦合结构结合了悬臂波导和多层渐变波导的优势，有效降低耦合光损耗，提高了光耦合效率和光接收端的响应度。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体光耦合结构和硅光集成芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020240776.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-02
授权号 ：
CN211928243U
授权日 ：
2020-11-13
发明人 ：
季梦溪李显尧
申请人 ：
苏州旭创科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区霞盛路８号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202020240776.1
主分类号 ：
G02B6/42
IPC分类号 ：
G02B6/42
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B6/00
光导；包含光导和其他光学元件的装置的结构零部件
G02B6/24
光波导的耦合
G02B6/42
光波导与光电元件的耦合
法律状态
2020-11-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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