本申请提出一种耦合结构，包括设置在衬底上的至少两层氮氧化硅层，每一层氮氧化硅层在光输入端配合实现光的耦合。每一层氮氧化硅层沿着垂直于衬底平面的方向叠置，越接近衬底的氮氧化硅层中的氧原子数量与氮原子数量之比值越小。设计包层作为耦合结构的最外层结构，与衬底配合将光束限制在至少两层的氮氧化硅层中，在一些实施例中，包层采用二氧化硅材质。避开了超窄波导刻蚀精度要求高的难题，在维持原有的工艺精度条件下同时实现光波导与单模光纤之间的超低耦合损耗，不用提高刻蚀工艺精度，且该结构对光的能量强度和温度变化都不敏感，可以在恶劣环境下实现相当高的耦合效率、超高的带宽且偏振不敏感。