硅光芯片的测试方法及设备
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摘要

本发明提供一种硅光芯片的测试方法及设备,其将硅光晶圆固定在柔性膜上后对所述硅光晶圆进行切割,切割后得到的硅光芯片的相对位置不发生变化,再将硅光芯片及柔性膜整体移动至测试设备处进行测试,不需要多次放置硅光芯片及对准硅光芯片的相对位置。本发明硅光芯片的测试方法省略了测试前多次放置硅光芯片及对准硅光芯片的步骤,测试时间大大缩短,测试效率大大提高。

基本信息
专利标题 :
硅光芯片的测试方法及设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN112098768A
申请号 :
CN201910461940.3
公开(公告)日 :
2020-12-18
申请日 :
2019-05-30
授权号 :
CN112098768B
授权日 :
2022-04-29
发明人 :
蔡艳汪巍涂芝娟曾友宏余明斌
申请人 :
上海新微技术研发中心有限公司
申请人地址 :
上海市嘉定区城北路235号1号楼
代理机构 :
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
孙佳胤
优先权 :
CN201910461940.3
主分类号 :
G01R31/01
IPC分类号 :
G01R31/01  G01M11/02  G01R1/04  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R31/00
电性能的测试装置;电故障的探测装置;以所进行的测试在其他位置未提供为特征的电测试装置;在制造过程中测试或测量半导体或固体器件入H01L21/66;线路传输系统的测试入H04B3/46)
G01R31/01
对相似的物品依次进行测试,例如在成批生产中的“过端—不过端”测试;当物体通过测试台时对物体进行测试
法律状态
2022-04-29 :
授权
2021-01-05 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 31/01
申请日 : 20190530
2020-12-18 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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