待测芯片测试电路、方法以及测试设备
公开
摘要
本公开实施例公开了一种待测芯片测试电路、方法以及测试设备，其中，所述待测芯片测试电路，包括：测试命令发生电路，其被配置为在测试模式下基于使能信号生成测试命令信号；锁存数据发生电路，其被配置为基于时钟信号锁存待测芯片的数据信号，并产生测试数据信号；调整命令发生电路，连接所述测试命令发生电路和所述锁存数据发生电路，其被配置为基于所述测试命令信号和所述测试数据信号生成调整命令信号。
基本信息
专利标题 ：
待测芯片测试电路、方法以及测试设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114627949A
申请号 ：
CN202210236722.1
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-03-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陆天辰
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
王花丽
优先权 ：
CN202210236722.1
主分类号 ：
G11C29/12
IPC分类号 ：
G11C29/12 G11C29/14
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C29/00
存储器正确运行的校验；备用或离线操作期间测试存储器
G11C29/04
损坏存储元件的检测或定位
G11C29/08
功能测试，例如，在刷新、通电自检或分布型测试期间的测试
G11C29/12
用于测试的内置装置，例如，内置的自检装置
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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