存储芯片及其测试电路与测试方法
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摘要
本发明公开了一种存储芯片及其测试电路与测试方法，复用存储芯片的微处理器作为存储芯片中测试电路的控制器，复用存储芯片的页缓冲器作为测试电路的比较电路，只需在存储芯片中增加一测试向量生成电路，即可实现在存储芯片中内建自测试电路，相对于单独增加控制器、比较电路以及测试向量生成电路的传统方案，大大缩小了测试电路尺寸，便于存储芯片小型化设计，降低了制作成本。
基本信息
专利标题 ：
存储芯片及其测试电路与测试方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111292797A
申请号 ：
CN202010166388.8
公开（公告）日 ：
2020-06-16
申请日 ：
2020-03-11
授权号 ：
CN111292797B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
王颀张桔萍刘飞霍宗亮
申请人 ：
中国科学院微电子研究所
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
张静
优先权 ：
CN202010166388.8
主分类号 ：
G11C29/18
IPC分类号 ：
G11C29/18 G11C29/56
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C29/00
存储器正确运行的校验；备用或离线操作期间测试存储器
G11C29/04
损坏存储元件的检测或定位
G11C29/08
功能测试，例如，在刷新、通电自检或分布型测试期间的测试
G11C29/12
用于测试的内置装置，例如，内置的自检装置
G11C29/18
地址形成装置；访问内存装置，例如，寻址电路的零部件
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2020-07-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 29/18
申请日 : 20200311
申请日 : 20200311
2020-06-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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