存储芯片的测试方法和测试装置、电子设备
实质审查的生效
摘要
本申请实施例涉及一种存储芯片的测试方法和测试装置、电子设备。该方法包括：开启待测存储芯片中的存储单元；在存储单元中写入测试数据；从存储单元中读取与测试数据对应的存储数据；根据测试数据与存储数据，生成待测存储芯片的测试结果；其中，开启待测存储芯片中的存储单元时的字线开启电压大于存储单元的标准开启电压；和/或，存储单元的开启时间大于存储单元的标准开启时间。避免了在预设存储芯片中的存储单元中写入测试数据时，存储单元中存储的电荷不足进而影响电容电荷保存时间的测试，同时缩短了写入测试数据的时间，节约了测试成本，提高了存储芯片的良率。
基本信息
专利标题 ：
存储芯片的测试方法和测试装置、电子设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114550801A
申请号 ：
CN202210180217.X
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-02-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
宋标
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
姚姝娅
优先权 ：
CN202210180217.X
主分类号 ：
G11C29/12
IPC分类号 ：
G11C29/12 G11C29/44
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C29/00
存储器正确运行的校验；备用或离线操作期间测试存储器
G11C29/04
损坏存储元件的检测或定位
G11C29/08
功能测试，例如，在刷新、通电自检或分布型测试期间的测试
G11C29/12
用于测试的内置装置，例如，内置的自检装置
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 29/12
申请日 : 20220225
申请日 : 20220225
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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