存储芯片的测试方法、装置、存储介质与电子设备
公开
摘要
本公开提供了一种存储芯片的测试方法、装置、存储介质与电子设备，属于半导体技术领域。所述方法包括：在所述待测存储芯片的存储单元中写入测试数据；从所述存储单元中读取存储数据；根据所述测试数据与所述存储数据，生成所述待测存储芯片的测试结果；其中，从所述存储单元中读取存储数据过程中，行选通脉冲预充电时间小于所述待测存储芯片的标准行选通脉冲预充电时间，和/或，所述待测存储芯片当前的感测延迟时间小于所述待测存储芯片的标准感测延迟时间。本公开可以提高存储芯片的测试效率。
基本信息
专利标题 ：
存储芯片的测试方法、装置、存储介质与电子设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582412A
申请号 ：
CN202210198602.7
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-03-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘东
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵新龙
优先权 ：
CN202210198602.7
主分类号 ：
G11C29/08
IPC分类号 ：
G11C29/08 G11C29/12
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C29/00
存储器正确运行的校验；备用或离线操作期间测试存储器
G11C29/04
损坏存储元件的检测或定位
G11C29/08
功能测试，例如，在刷新、通电自检或分布型测试期间的测试
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
