记忆体测试电路及其测试方法
实质审查的生效
摘要

本申请提供一种记忆体测试电路及其测试方法。本申请提供的记忆体测试电路,在字线驱动电路的放电端与负偏压信号端之间连接开关控制电路,用于输入触发信号,以使待测电路中字线信号端的电位满足预设电位悬空范围。然后通过在预设时长内检测待测电路中存储信号的当前电平状态与初始电平状态是否一致,判断待测电路的字线信号端与位线信号端之间是否存在漏电行为,其中,待测电路为单个记忆体中对应的电路。从而,通过开关控制电路检测出待测电路的字线信号端与位线信号端之间的漏电行为,进而侦测出异常记忆体。本申请提供的记忆体测试电路结构简单,测试方法容易实现,为侦测存在漏电行为的异常记忆体提供了一种有利解决方案。

基本信息
专利标题 :
记忆体测试电路及其测试方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114283874A
申请号 :
CN202011045466.5
公开(公告)日 :
2022-04-05
申请日 :
2020-09-28
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
杨正杰
申请人 :
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 :
安徽省合肥市经济开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 :
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 :
张娜
优先权 :
CN202011045466.5
主分类号 :
G11C29/50
IPC分类号 :
G11C29/50  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C29/00
存储器正确运行的校验;备用或离线操作期间测试存储器
G11C29/04
损坏存储元件的检测或定位
G11C29/50
容限测试,例如,竞争、电压或电流测试
法律状态
2022-04-22 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 29/50
申请日 : 20200928
2022-04-05 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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