硅光多通道并行光组件及其耦合方法
授权
摘要

本发明涉及光通信技术领域,提供了一种硅光集成芯片,包括集成于芯片内部的发射输入波导单元、分路器单元、调制器单元、发射输出波导单元、接收输入波导单元以及接收探测器单元。还提供了一种硅光多通道并行光组件。还提供了一种硅光多通道并行光组件的耦合方法。本发明采用集成的硅光芯片,发射部分仍采用两路直流激光器组,接收芯片集成在硅光芯片内部,光接口采用业界成熟的FA‑MPO,具有工艺成熟,集成程度高,成本相对较低,耦合工序少等优点,是400G以上速率的优势选择之一。

基本信息
专利标题 :
硅光多通道并行光组件及其耦合方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN113281841A
申请号 :
CN202110412405.6
公开(公告)日 :
2021-08-20
申请日 :
2021-04-16
授权号 :
CN113281841B
授权日 :
2022-05-27
发明人 :
胡百泉林雪枫李林科吴天书杨现文张健
申请人 :
武汉联特科技股份有限公司
申请人地址 :
湖北省武汉市东湖新技术开发区流芳大道52号E地块12栋
代理机构 :
北京汇泽知识产权代理有限公司
代理人 :
张涛
优先权 :
CN202110412405.6
主分类号 :
G02B6/12
IPC分类号 :
G02B6/12  G02B6/42  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B6/00
光导;包含光导和其他光学元件的装置的结构零部件
G02B6/10
光波导式的
G02B6/12
集成光路类型
法律状态
2022-05-27 :
授权
2021-09-07 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G02B 6/12
申请日 : 20210416
2021-08-20 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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