硅基波分复用器及硅光集成芯片

授权

摘要

本申请公开了一种硅基波分复用器及硅光集成芯片，包括硅基衬底，所述硅基衬底上设有马赫‑曾德尔组合结构和偏振控制结构，所述马赫‑曾德尔组合结构至少包括两个并列的马赫‑曾德尔干涉仪；所述马赫‑曾德尔组合结构具有多个输入端口和两个光信号输出端口；所述偏振控制结构包括两个输入端口和一个输出端口；所述马赫‑曾德尔组合结构的两个输出端口分别连接所述偏振控制结构的两个输入端口。本申请将MZI型波分复用器的一个MZI干涉仪替换为无源的偏振控制结构，减少了需要调节的相移臂数量和3dB耦合器的数量，降低了器件的功耗，提高了光学带宽。

基本信息

专利标题：

硅基波分复用器及硅光集成芯片

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020331253.8

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-03-17

授权号：

CN211928232U

授权日：

2020-11-13

发明人：

郭德汾李显尧

申请人：

苏州旭创科技有限公司

申请人地址：

江苏省苏州市工业园区霞盛路８号

代理机构：

代理人：

优先权：

CN202020331253.8

主分类号：

G02B6/12

IPC分类号：

G02B6/12