硅基人工微结构超表面波导耦合器
授权
摘要
本实用新型公开了一种硅基人工微结构超表面波导耦合器，包括基底、二氧化硅层、顶层，顶层包括左侧的人工微结构超表面和右侧的波导，人工微结构超表面置于光波导端口的一侧；入射光垂直向下照射，在人工微结构超表面获得相位延迟，引入了额外的表面横向波矢，表面横向波矢与波导工作模式的有效横向波矢相等，满足波导耦合的波矢匹配条件，从而将垂直入射的光耦合到波导中单向传播。本实用新型通过设计硅基人工微结构超表面，使垂直入射的线偏振光高效地耦合进入光波导，并在光波导内单向传播，抑制了光波导中光反向耦合入自由空间的过程，进一步提高了空间光到光波导的耦合效率；能够与现有的CMOS加工工艺兼容，极大的降低了成本，具有广泛的市场前景。
基本信息
专利标题 ：
硅基人工微结构超表面波导耦合器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920608801.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-29
授权号 ：
CN210119596U
授权日 ：
2020-02-28
发明人 ：
何赛灵董红光龚晨晟
申请人 ：
浙江大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
代理机构 ：
杭州求是专利事务所有限公司
代理人 ：
林松海
优先权 ：
CN201920608801.4
主分类号 ：
G02B6/10
IPC分类号 ：
G02B6/10 G02B6/126 G02B6/24
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B6/00
光导；包含光导和其他光学元件的装置的结构零部件
G02B6/10
光波导式的
法律状态
2020-02-28 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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