一种单片集成式光电耦合器及制备方法
公开
摘要
本发明公开了一种单片集成式光电耦合器及其制作方法，包括设在同一块GaN基外延晶圆上的可见光LED和一个光敏VMOSFET；所述可见光LED作为光发射器，用于将电信号转换为光信号，所述可见光LED与所述光敏VMOSFET位于同一块衬底上，并通过隔离深槽实现物理和电学上的分隔；本发明的光电耦合器各个部件制作在同一块芯片上，即实现了单片集成，可带来体积小、功耗低、速度快、可靠性高、制造批量化等显著优势。
基本信息
专利标题 ：
一种单片集成式光电耦合器及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582912A
申请号 ：
CN202210098679.7
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-01-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
严嘉彬石帆杨凌云吴洁戴叶玲
申请人 ：
南京邮电大学
申请人地址 ：
江苏省南京市鼓楼区新模范马路66号
代理机构 ：
南京纵横知识产权代理有限公司
代理人 ：
董建林
优先权 ：
CN202210098679.7
主分类号 ：
H01L27/15
IPC分类号 ：
H01L27/15 H01L31/18 H01L33/00
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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