单片集成光子卷积神经网络计算系统及其制备方法

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摘要

本发明提供了一种单片集成光子卷积神经网络计算系统及其制备方法，基于铌酸锂‑硅新型晶圆，在同一个芯片上集成集成设置于铌酸锂‑硅晶圆基底上的信号输入阵列模块、数据重排阵列模块、权值阵列模块、光电转换阵列模块、直流驱动电路模块、射频驱动电路模块以及电子信号处理电路模块，避免了多个芯片之间的光电耦合损耗，保证了未来大规模光子神经网络计算系统的实现；此外，由于利用了铌酸锂‑硅晶圆，本发明提出的单片集成光子卷积神经网络计算系统及其制备方法，在现有的CMOS兼容的工艺线上完成制备，大大降低了传统铌酸锂刻蚀等工艺的成本。

基本信息

专利标题：

单片集成光子卷积神经网络计算系统及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111461317A

申请号：

CN202010260123.4

公开（公告）日：

2020-07-28

申请日：

2020-04-03

授权号：

CN111461317B

授权日：

2022-04-01

发明人：

邹卫文徐绍夫王静

申请人：

上海交通大学

申请人地址：

上海市闵行区东川路800号

代理机构：

上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：

张宁展

优先权：

CN202010260123.4

主分类号：

G06N3/067

IPC分类号：

G06N3/067 G06N3/04