单片集成式半桥功率器件模块

授权

摘要

本发明涉及一种单片集成式半桥功率器件模块，属于半导体技术领域。该模块包括隔离环、被隔离环包围的低侧功率器件和位于隔离环之外的高侧功率器件；低侧功率器件的外围与隔离环的一侧直接接触，高侧功率器件的外围一侧与隔离环的一侧直接接触。隔离环由多个交替排列的导电类型不同的半导体漂移区组成，其背部被刻蚀并覆盖有绝缘介质保护区，形成沟槽，使得隔离环两侧的半导体区域电气隔离。隔离环可以有效地隔离集成在同一个芯片上的高侧和低侧功率器件，使它们的电极可以被分开偏置。与板级集成功率器件模块和单封装集成功率器件模块相比，功率器件的单片集成使得模块所占面积小，同时，较短的引线也使得寄生电感小。

基本信息

专利标题：

单片集成式半桥功率器件模块

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111081705A

申请号：

CN201911168608.4

公开（公告）日：

2020-04-28

申请日：

2019-11-25

授权号：

CN111081705B

授权日：

2022-06-10

发明人：

林智王志皓韩姝李平胡盛东

申请人：

重庆大学

申请人地址：

重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号

代理机构：

北京同恒源知识产权代理有限公司

代理人：

赵荣之

优先权：

CN201911168608.4

主分类号：

H01L27/08

IPC分类号：

H01L27/08 H01L27/082 H01L27/088