一种基于SiC器件的高功率密度DAB集成模块
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种基于SiC器件的高功率密度DAB集成模块，能够提升装置工作频率，减小磁元件和整体装置体积，适用范围广泛。包括DAB主电路板、SiC器件、散热器、电感、变压器以及半桥驱动，DAB主电路板上集成有输入检测电路、输出检测电路、控制电路接口和驱动电路接口；其中，DAB主电路板开设有电感区和变压器区，分别用于放置所述电感和所述变压器，DAB主电路板的输入连接端固定有输入直流滤波电容，DAB主电路板的输出连接端固定有输出直流滤波电容，所述SiC器件与散热器夹持连接，散热器固定设置在所述DAB主电路板一侧，所述半桥驱动与所述散热器相对于DAB主电路板对称设置在所述DAB主电路板的另一侧。
基本信息
专利标题 ：
一种基于SiC器件的高功率密度DAB集成模块
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114553007A
申请号 ：
CN202210197772.3
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-03-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王来利靳浩源温浚铎董晓博杨成子
申请人 ：
西安交通大学
申请人地址 ：
陕西省西安市咸宁西路28号
代理机构 ：
西安通大专利代理有限责任公司
代理人 ：
房鑫
优先权 ：
CN202210197772.3
主分类号 ：
H02M3/335
IPC分类号 ：
H02M3/335 H05K7/20
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H02M 3/335
申请日 : 20220301
申请日 : 20220301
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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