单片集成边发射激光器及制备方法
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摘要
一种单片集成边发射激光器及制备方法，其单片集成边发射激光器包括：衬底；多层结构，为由多对半导体材料层生长于所述衬底上的周期或准周期结构，每对所述半导体材料层沿垂直于所述衬底的方向依次包括低折射率材料层和第一高折射率材料层，每层所述半导体材料层的厚度不小于λ/5n，其中，λ为所述单片集成边发射激光器的工作波长，n为每层所述半导体材料层的折射率；第二高折射率材料层，形成于所述多层结构中最后生长的低折射率材料层上，所述第二高折射率材料层的折射率高于第一高折射率材料层和低折射率材料层；有源层，位于所述第二高折射率材料层中，所述有源层的厚度小于第二高折射率材料层的厚度。
基本信息
专利标题 ：
单片集成边发射激光器及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113381294A
申请号 ：
CN202110639802.7
公开（公告）日 ：
2021-09-10
申请日 ：
2021-06-08
授权号 ：
CN113381294B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
刘安金张靖
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
吴梦圆
优先权 ：
CN202110639802.7
主分类号 ：
H01S5/065
IPC分类号 ：
H01S5/065 H01S5/20 H01S5/34
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2021-09-28 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 5/065
申请日 : 20210608
申请日 : 20210608
2021-09-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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