拓扑腔面发射激光器及包括其的单片集成激光器阵列和电子设备
授权
摘要
本申请涉及拓扑腔面发射激光器及包括其的单片集成激光器阵列和电子设备。根据一实施例，一种拓扑腔面发射激光器包括第一半导体层、有源层、第二半导体层、以及第一和第二电极，这些层中的至少一个形成为光子晶体层，或者拓扑腔面发射激光器还包括单独的光子晶体层。光子晶体层包括多个超胞结构，超胞结构具有一个或多个子结构，超胞结构的一个或多个子结构的物理结构在至少两个独立维度上被调制。绕所述光子晶体层上的一点任意一圈，所述一个或多个子结构的物理结构在至少两个独立维度上的调制周期性变化一个或多个周期，以形成涡旋结构。
基本信息
专利标题 ：
拓扑腔面发射激光器及包括其的单片集成激光器阵列和电子设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122645165.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-01
授权号 ：
CN216529834U
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
陆凌杨乐臣李广睿高晓梅
申请人 ：
中国科学院物理研究所
申请人地址 ：
北京市海淀区中关村南三街8号
代理机构 ：
北京市正见永申律师事务所
代理人 ：
黄小临
优先权 ：
CN202122645165.2
主分类号 ：
H01S5/183
IPC分类号 ：
H01S5/183 H01S5/11 H01S5/42
法律状态
2022-05-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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