一种共面电极垂直腔面发射激光器及其制备方法
公开
摘要
本发明涉及半导体激光器技术领域，具体公开了一种共面电极垂直腔面发射激光器及其制备方法，该激光器包括由下到上依次设置的衬底、缓冲层、氧化绝缘层、N型DBR层、下限制层、量子阱有源区、上限制层、氧化限制层、P型DBR层、欧姆接触层，激光器为二级台阶结构，第一台阶和第二台阶的外部沉积有钝化膜，第一台阶和第二台阶的侧面部分区域填充有BCB绝缘介质，第一台阶顶部设置金属正极，第二台阶上设置金属负极。本发明所公开的激光器在缓冲层和N型DBR层之间生长一层氧化绝缘层，经氧化后形成电流的绝缘层，从而将衬底和激光器电极之间进行绝缘，有利于降低激光器的阻抗，并去除后端电路对激光器的影响。
基本信息
专利标题 ：
一种共面电极垂直腔面发射激光器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114614340A
申请号 ：
CN202210511190.8
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-05-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵佳张玉岐
申请人 ：
山东大学
申请人地址 ：
山东省青岛市即墨区滨海路72号
代理机构 ：
青岛华慧泽专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘娜
优先权 ：
CN202210511190.8
主分类号 ：
H01S5/183
IPC分类号 ：
H01S5/183 H01S5/02
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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