用于GaAs边发射激光器的脊波导结构制备方法
公开
摘要
本发明公开了用于GaAs边发射激光器的脊波导结构制备方法，在不改变芯片尺寸的前提下，通过湿法氧化工艺对高铝层进行氧化形成氧化膜限制电场，形成高密度电流，从而降低输出的阈值电流，提高光功率的输出。
基本信息
专利标题 ：
用于GaAs边发射激光器的脊波导结构制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300945A
申请号 ：
CN202210222512.7
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2022-03-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵涛
申请人 ：
广东先导院科技有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市黄埔区开源大道11号B3栋301室
代理机构 ：
西安弘理专利事务所
代理人 ：
赵燕秋
优先权 ：
CN202210222512.7
主分类号 ：
H01S5/22
IPC分类号 ：
H01S5/22
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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