半导体激光器的波导结构
授权
摘要
本申请公开了一种半导体激光器的波导结构，涉及半导体制造的技术领域。本申请的半导体激光器的波导结构包括衬底、下限制层、量子阱、上限制层和脊形成层，所述下限制层设置在所述衬底上；所述量子阱设置在所述下限制层上；所述上限制层设置在所述量子阱上；所述脊形成层设置在所述上限制层上，所述脊形成层包括刻蚀沟槽和脊波导；其中，所述刻蚀沟槽的槽顶宽度为0.5‑5μm。故本申请通过减小刻蚀沟槽的宽度来实现高阶模式的耦合，增大高阶模式的损耗，从而抑制高阶模的激射，保证基模激射的稳定性。
基本信息
专利标题 ：
半导体激光器的波导结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020393234.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-25
授权号 ：
CN211265970U
授权日 ：
2020-08-14
发明人 ：
杨国文唐松
申请人 ：
度亘激光技术(苏州)有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区苏州金鸡湖大道99号西北区20幢215、217室
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
付兴奇
优先权 ：
CN202020393234.8
主分类号 ：
H01S5/22
IPC分类号 ：
H01S5/22
法律状态
2020-08-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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