片上集成慢光波导的半导体激光器
授权
摘要
本发明公开了一种片上集成慢光波导的半导体激光器，主要解决现有半导体激光器出射光束远场发散的问题。其包括：激光器有源区(1)、衬底(2)，转向结构(3)和慢光波导结构(4)，该激光器有源区(1)位于衬底(2)外延层方向的一侧，该转向结构(3)位于衬底(2)外延层方向的另一侧，用于改变激光器有源区垂直出射的激光光束传播方向；该慢光波导结构(4)位于衬底(2)沿脊宽方向的一侧，用于实现相干光束阵列的发射，降低光束远场发散角。本发明有助于大幅度降低半导体激光器的远场发散角，从而提高半导体光源的系统集成度，可用于激光红外干扰，片上光互联及空间光通信。
基本信息
专利标题 ：
片上集成慢光波导的半导体激光器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111478180A
申请号 ：
CN202010324587.7
公开（公告）日 ：
2020-07-31
申请日 ：
2020-04-23
授权号 ：
CN111478180B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
姚丹阳张春福郝跃陈大正成亚楠
申请人 ：
西安电子科技大学
申请人地址 ：
陕西省西安市太白南路2号
代理机构 ：
陕西电子工业专利中心
代理人 ：
王品华
优先权 ：
CN202010324587.7
主分类号 ：
H01S5/20
IPC分类号 ：
H01S5/20 H01S5/22 H01S5/18 H01S5/34
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2020-08-25 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 5/20
申请日 : 20200423
申请日 : 20200423
2020-07-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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