半导体激光器

专利权的终止专利权有效期届满

摘要

在一个众所周知的半导体激光器内，由各自厚度均小于电子的德布罗意波长的阻挡层和激活层或势井层所组成的一种多量子井型激活层被掺入一种杂质，而且在阻挡层内所形成的杂质密度高于势井层中的密度。在多量子井激活层被包围在P-型年和n-型敷层之间的情况下。势井层不进行掺杂，位于与势井层相接触的阻挡层部分也不进行掺杂，使接近P-型敷层的其余阻挡层部分成为n-型电导率，同时，使靠近n-型敷层的阻挡层部分成为P-型电导率。

基本信息

专利标题：

半导体激光器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN86105580A

申请号：

CN86105580.2

公开（公告）日：

1987-01-21

申请日：

1986-07-25

授权号：

CN1006835B

授权日：

1990-02-14

发明人：

茅根直树鱼见和久福泽董松枝秀明梶村俊

申请人：

株式会社日立制作所

申请人地址：

日本东京都

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利代理部

代理人：

赵蓉民

优先权：

CN86105580.2

主分类号：

H01S3/18

IPC分类号：

H01S3/18