本实用新型实施例提出一种半导体激光器，属于激光技术领域。该半导体激光器包括：光束耦合结构，光束耦合结构包括相位延迟片和偏振耦合器，偏振耦合器包括第一入射方向和第二入射方向，相位延迟片位于第一入射方向；至少两个出光单元，出光单元包括激光芯片、快轴准直透镜和慢轴准直透镜，激光芯片的出射光束依次经过快轴准直透镜和慢轴准直透镜，并入射至光束耦合结构。出光单元的出射光束分别在快轴方向和慢轴方向进行光束整形处理，并且至少两个出光单元分别沿第一入射方向和第二入射方向入射至偏振耦合器，从而提高偏振耦合器的出射光束的质量。