半导体激光器
授权
摘要
提供一种半导体激光器，射出水平方向的远场图样的强度中心不随光输出变化而变化且形状稳定的激光。设定沟部(15)的宽度，以便使脊(6)中央部的电场大小E1与沟部(15)端部的电场大小E2的比率E1/E2大于0.0001而小于0.01。在双沟道型脊形构造的半导体激光器中，沟部(15)的外侧存在等效折射率大于沟部(15)的等效折射率的层。因而，由于分布在从沟部(15)向外侧的光被半导体吸收，故可获得水平方向的远场图样的强度中心不随光输出的变化而变化且形状稳定的激光。
基本信息
专利标题 ：
半导体激光器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1783605A
申请号 ：
CN200510119477.2
公开（公告）日 ：
2006-06-07
申请日 ：
2005-11-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
山口勉西田武弘西口晴美多田仁史吉田保明
申请人 ：
三菱电机株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
浦柏明
优先权 ：
CN200510119477.2
主分类号 ：
H01S5/22
IPC分类号 ：
H01S5/22
相关图片
法律状态
2008-04-16 ：
授权
2006-08-02 ：
实质审查的生效
2006-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
CN100382399C.PDF
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CN1783605A.PDF
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