半导体激光器件
专利权的终止
摘要
一种半导体激光器件，包括一个管座、一个半导体激光芯片和一层覆盖在激光芯片上的树脂层。管座可以有一个监视器光电二极管，安装在激光芯片的附近。覆盖在激光芯片上或者既覆盖在激光芯片上又覆盖在监视器光电二极管芯片上的树脂层是由单一的合成树脂制成的，其厚度不超过５００μｍ，并且其表面与激光芯片的向外发射激光束的端面基本上平行。
基本信息
专利标题 ：
半导体激光器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1093837A
申请号 ：
CN93119979.4
公开（公告）日 ：
1994-10-19
申请日 ：
1993-12-24
授权号 ：
CN1065672C
授权日 ：
2001-05-09
发明人 ：
增井克荣宫内伸幸谷善平竹川浩辻亮小川胜盐本武弘
申请人 ：
夏普公司
申请人地址 ：
日本大阪市
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
马铁良
优先权 ：
CN93119979.4
主分类号 ：
H01S5/02
IPC分类号 ：
H01S5/02 H01S5/30
相关图片
法律状态
2014-02-19 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101572122282
IPC(主分类) : H01S 5/02
专利号 : ZL931199794
申请日 : 19931224
授权公告日 : 20010509
终止日期 : 20121224
号牌文件序号 : 101572122282
IPC(主分类) : H01S 5/02
专利号 : ZL931199794
申请日 : 19931224
授权公告日 : 20010509
终止日期 : 20121224
2001-05-09 ：
授权
1994-10-19 ：
公开
1994-10-12 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
CN1093837A.PDF
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