半导体激光器

发明专利申请公布后的驳回

摘要

减小穿透位错部的电流泄漏，由此，可得到静电耐压较高、应对电源电涌较强并且长期可靠性也较高的半导体激光器。该半导体激光器包括：具有位错密度为1×10⁵cm^－2以上的高位错区域的衬底；设置在衬底上且具有活性层的半导体晶体；设置在半导体晶体上的绝缘膜；表面电极，设置在绝缘膜上，为对活性层注入电流而与半导体晶体导通；设置在衬底下的背面电极，其中，将激光共振器长设为L时，表面电极的面积为120×Lμm²以下。

基本信息

专利标题：

半导体激光器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101160700A

申请号：

CN200680012137.2

公开（公告）日：

2008-04-09

申请日：

2006-03-15

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

藏本恭介

申请人：

三菱电机株式会社

申请人地址：

日本东京都

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

王岳

优先权：

CN200680012137.2

主分类号：

H01S5/042

IPC分类号：

H01S5/042