半导体激光器及半导体激光器的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种半导体激光器及半导体激光器的制备方法。半导体激光器包括：激光器组件包括激光芯片；石墨结构，位于激光芯片的一侧；热沉结构，包括用于防止激光芯片和石墨结构之间产生热应力的过渡热沉，过渡热沉位于石墨结构和激光芯片之间，且激光芯片通过过渡热沉与石墨结构连接。本发明的技术方案解决了现有技术中的半导体激光器热应力过大的问题。
基本信息
专利标题 ：
半导体激光器及半导体激光器的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114552370A
申请号 ：
CN202210158581.6
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-02-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赖锦锋张利斌
申请人 ：
桂林市啄木鸟医疗器械有限公司
申请人地址 ：
广西壮族自治区桂林市国家高新区信息产业园
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
李荟萃
优先权 ：
CN202210158581.6
主分类号 ：
H01S5/024
IPC分类号 ：
H01S5/024
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 5/024
申请日 : 20220221
申请日 : 20220221
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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