半导体激光器
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明是一个具有隐埋阻断层限流的双异质结型(DH)半导体激光器，根据本发明，一个晶体结构被扰乱了的高阻区延伸在条形有源区4A两边的外上方，从对着衬底的半导体本体这边，至少贯穿了阻挡层的厚度。因此，横向漏电流和寄生电容被减小，使该激光器能用于在显著高于1GHz的频率。高阻区(14)最好用质子轰击得到。本发明对用于光通讯的DCPBH激光器特别有益。
基本信息
专利标题 ：
半导体激光器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85104521A
申请号 ：
CN85104521.9
公开（公告）日 ：
1986-12-24
申请日 ：
1985-06-13
授权号 ：
CN1004780B
授权日 ：
1989-07-12
发明人 ：
穆利文瓦尔斯达尔
申请人 ：
菲利浦光灯制造公司
申请人地址 ：
荷兰艾恩得霍芬
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
肖春京
优先权 ：
CN85104521.9
主分类号 ：
H01S3/19
IPC分类号 ：
H01S3/19
相关图片
法律状态
2000-08-16 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1998-12-16 ：
著录项目变更
变更事项 : 专利权人
变更前 : 菲利浦电子有限公司
变更后 : 皇家菲利浦电子有限公司
变更前 : 菲利浦电子有限公司
变更后 : 皇家菲利浦电子有限公司
1997-12-24 ：
著录项目变更
变更事项 : 专利权人
变更前 : 菲利浦光灯制造公司
变更后 : 菲利浦电子有限公司
变更前 : 菲利浦光灯制造公司
变更后 : 菲利浦电子有限公司
1990-04-04 ：
授权
1989-07-12 ：
审定
1987-04-01 ：
实质审查请求
1986-12-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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