双波导分布式反馈半导体激光器及激光产生方法
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摘要
本公开提供了一种双波导分布式反馈半导体激光器，包括：N面电极层(1)、衬底层(2)、缓冲层(3)、下波导层(4)、多量子阱有源层(5)、上波导层(6)、光栅层(7)、刻蚀自停止层(8)、包层(9)、欧姆接触层(10)、P面电极层(11‑12)，各层依次叠加，从欧姆接触层(10)表面指向衬底的方向刻蚀有平行的第一沟道(15)、第二沟道(16)和第三沟道(17)，第一沟道(15)与第二沟道(16)之间形成第一波导(13)，第二沟道(16)与第三沟道(17)之间形成第二波导(14)，第一波导(13)和第二波导(14)的尺寸相同，P面电极层(11‑12)设于欧姆接触层(10)、第一沟道(15)、第三沟道(17)表面，被第二沟道(16)分为两部分，分别对应为第一波导(13)和第二波导(14)的P面电极。本公开提供的激光器既可利用光栅层(7)的分布式反馈光栅进行模式选择，又能利用双波导的宇称‑时间对称性进行模式选择，具有高边模抑制比。
基本信息
专利标题 ：
双波导分布式反馈半导体激光器及激光产生方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112382924A
申请号 ：
CN202011264911.7
公开（公告）日 ：
2021-02-19
申请日 ：
2020-11-12
授权号 ：
CN112382924B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
刘泽秋祝宁华王欣袁海庆
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
周天宇
优先权 ：
CN202011264911.7
主分类号 ：
H01S5/12
IPC分类号 ：
H01S5/12 H01S5/22 H01S5/343 H01S5/042
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2021-03-09 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 5/12
申请日 : 20201112
申请日 : 20201112
2021-02-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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