脊形波导式半导体激光器及其制作方法

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摘要

本发明提供一种脊形波导式半导体激光器及其制作方法，包括具有脊形波导突起的脊形波导晶片，位于脊形波导突起的两侧自下而上包括：一层二氧化硅钝化膜和一层聚酰亚胺膜，且聚酰亚胺膜的上表面高于脊形波导突起的上表面，P型电极覆盖在所述脊形波导突起的上表面以及位于其两侧的聚酰亚胺膜的上表面并形成欧姆接触，N型电极形成在脊形波导晶片的底部表面。脊形波导突起的两侧被聚酰亚胺膜进行了有效填充，提高了蒸发金属电极的覆盖能力，改善了P型电极的欧姆接触，因而减小了串联电阻，且避免在芯片工艺操作和芯片封装过程中由于脊形波导突起受损导致芯片失效。

基本信息

专利标题：

脊形波导式半导体激光器及其制作方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1956284A

申请号：

CN200510100902.3

公开（公告）日：

2007-05-02

申请日：

2005-10-29

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

李络周耀辉

申请人：

深圳飞通光电子技术有限公司

申请人地址：

518057广东省深圳市高新技术产业园南区科技南十二路飞通大厦技术部

代理机构：

代理人：

优先权：

CN200510100902.3

主分类号：

H01S5/22

IPC分类号：

H01S5/22