激光器的制作方法及激光器
公开
摘要
本发明实施例公开一种激光器的制作方法及激光器，制作方法包括：在衬底上依次划分第一分布式反馈DFB区域、调谐区域和第二DFB区域；分别在第一DFB区域和第二DFB区域上制备选区介质掩膜条对，或者在调谐区域上制备选区介质掩膜条对；在制备有选区介质掩膜条对的第一DFB区域、调谐区域和制备有选区介质掩膜条对的第二DFB区域，或者在第一DFB区域、制备有选区介质掩膜条对的调谐区域和第二DFB区域依次外延生长下分别限制层、多量子阱层以及上分别限制层，以使调谐区域的多量子阱层的组分分别偏离第一DFB区域和第二DFB区域的多量子阱层的组分；去掉选区介质掩膜条对；通过该制作方法所制作的激光器可靠性高并能够增大激光器波长调谐范围。
基本信息
专利标题 ：
激光器的制作方法及激光器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512894A
申请号 ：
CN202011158751.8
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2020-10-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
邓秋芳
申请人 ：
中兴光电子技术有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市雨花台区凤展路30号2幢23层
代理机构 ：
广州嘉权专利商标事务所有限公司
代理人 ：
谭晓欣
优先权 ：
CN202011158751.8
主分类号 ：
H01S5/12
IPC分类号 ：
H01S5/12 H01S5/32 H01S5/34
法律状态
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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