单模量子级联激光器的器件结构及制作方法

专利权的终止

摘要

一种单模量子级联激光器的器件结构，包括：一n型磷化铟衬底；一n型铟镓砷下波导层制作在n型磷化铟衬底上；35个周期铟镓砷/铟铝砷交替的有源层制作在下波导层上；一n型铟镓砷上波导层制作在有源层上；一n型铟铝砷上包层制作在n型铟镓砷上波导层上；一n型铟镓砷高掺杂接触层制作在n型铟铝砷上包层上；一n型铟镓砷欧姆接触层制作在n型铟镓砷高掺杂接触层上；一SiO₂电绝缘层制作在整个材料的上表面及双沟脊形结构的侧壁，该SiO₂电绝缘层的之间为断开，形成电流注入窗口；一正面n型电极制作在SiO₂电绝缘层上；一背面n型电极制作在n型磷化铟衬底的背面。

基本信息

专利标题：

单模量子级联激光器的器件结构及制作方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1983750A

申请号：

CN200510126478.X

公开（公告）日：

2007-06-20

申请日：

2005-12-14

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

郭瑜刘峰奇刘俊岐王占国

申请人：

中国科学院半导体研究所

申请人地址：

100083北京市海淀区清华东路甲35号

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汤保平

优先权：

CN200510126478.X

主分类号：

H01S5/22

IPC分类号：

H01S5/22 H01S5/343 H01S5/065 H01S5/00