一种双面金属波导太赫兹量子级联激光器芯片

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摘要

本实用新型涉及一种双面金属波导太赫兹量子级联激光器芯片，属于半导体光电子器件技术领域。包括半导体衬底和激光器脊条，所述激光器脊条设于半导体衬底上方，所述激光器脊条包括上表面金属层、有源脊形结构和下表面金属层，所述上表面金属层设于有源脊形结构的上表面，所述下表面金属层设于有源脊形结构的下表面，所述半导体衬底上设有衬底金属层，所述下表面金属层与衬底金属层热压键合成一个整体，半导体衬底对激光器脊条起支撑和导电作用，所述激光器脊条的侧壁涂覆光刻胶，所述光刻胶延伸至上表面金属层和下表面金属层。本申请增强激光器脊条和衬底键合强度，提高激光器端面的解理合格率。

基本信息

专利标题：

一种双面金属波导太赫兹量子级联激光器芯片

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201920575047.9

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-04-25

授权号：

CN209766843U

授权日：

2019-12-10

发明人：

万文坚黎华曹俊诚沈寒松沈文江建兴

申请人：

江苏盖姆纳米材料科技有限公司

申请人地址：

江苏省无锡市江阴市临港新城区镇澄路3433号

代理机构：

北京中济纬天专利代理有限公司

代理人：

赵海波

优先权：

CN201920575047.9

主分类号：

H01S1/02

IPC分类号：

H01S1/02 H01S5/22